Isotropic Etching of n-Si(110) in KOH Solution under Applied Voltage.

Two-Layer Microstructures Fabricated by One-Step Anisotropic Wet Etching of Si in KOH Solution

Anisotropic etching of silicon in potassium hydroxide (KOH) is an important technology in micromachining. The residue deposition from KOH etching of Si is typically regarded as a disadvantage of this technology. In this report, we make use of this residue as a second masking layer to fabricate two-layer complex structures. Square patterns with size in the range of 15–150 μm and gap distance of ...

degradation of oil impregnated paper insulation under influence of repetitive fast high voltage impulses

در طی سالهای اخیراستفاده ازمنابع انرژی تجدید پذیر در شبکه های مدرن بنا به دلایل زیست محیطی و اقتصادی به طور گسترده استفاده شده است همچون نیروگاههای بادی و خورشیدی .ولتاژتولیدی این نیروگاهها اغلب به فرم dc می باشد وادوات الکترونیک قدرت به عنوان مبدل و پل بین شکل موج dc وac استفاده می شوند.این پروسه باعث ایجاد پالسهایی برروی شکل موج خروجی می شود که می تواند وارد تجهیزات قدرت همچون ترانسفورماتور ی...

Particle precipitation in connection with KOH etching of silicon

on the status of mixed methods research in applied linguistics

چکیده ندارد.

the investigation of research articles in applied linguistics: convergence and divergence in iranian elt context

چکیده ندارد.